单项选择题 在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。

单项选择题 在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。

多项选择题 下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。