多项选择题
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有()。
A.CF4 B.BCl3 C.Cl2 D.F2 E.CHF3
单项选择题 为了避免()在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀,必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。
单项选择题 铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行,而必须施以()。
单项选择题 溅镀法,因为其阶梯覆盖的能力不良,很容易造成因填缝不完全所留下的()。