单项选择题
在刻蚀()过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气,能够提高刻蚀的速率。
A.铜 B.铝 C.金 D.二氧化硅
多项选择题 下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有()。
单项选择题 为了避免()在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀,必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。
单项选择题 铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行,而必须施以()。