单项选择题 ‏Si中常见点缺陷是（）缺陷。

单项选择题 哪支能带的极值对应的电子有效质量最大？（）

单项选择题 已知Al2O3的相对介电常数为10，若使用它作为替代1.2纳米SiO2的高K栅介质层材料，所需Al2O2的厚度为（）。