单项选择题
已知Al2O3的相对介电常数为10，若使用它作为替代1.2纳米SiO2的高K栅介质层材料，所需Al2O2的厚度为（）。
A.3.1nmB.0.5nmC.0.9nmD.1.7nm
单项选择题 下面（）的噪声容限最大。
单项选择题 下列（）不是抑制CMOS闩锁效应的方法。
单项选择题 开关速度最快的MOS反相器是（）。
