单项选择题 已知Al2O3的相对介电常数为10，若使用它作为替代1.2纳米SiO2的高K栅介质层材料，所需Al2O2的厚度为（）。

单项选择题 下面（）的噪声容限最大。

单项选择题 ‍下列（）不是抑制CMOS闩锁效应的方法。