单项选择题
为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。
A.多晶硅 B.单晶硅 C.铝硅铜合金 D.铜
单项选择题 铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
单项选择题 溅镀法，因为其阶梯覆盖的能力不良，很容易造成因填缝不完全所留下的（）。
单项选择题 不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。
