单项选择题
下面哪一种薄膜工艺中底材会被消耗()。
A.薄膜沉积 B.薄膜成长 C.蒸发 D.溅射
多项选择题 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者()。
多项选择题 以()等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。
单项选择题 晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。