单项选择题
请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。
单项选择题 请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。
单项选择题 单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
单项选择题 在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体
