单项选择题 在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

单项选择题 在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。

单项选择题 在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。