填空题
常规集成电路平面制造工艺主要由（）、（）、（）、（）、（）等工艺手段组成。
光刻；氧化；扩散；刻蚀；离子注入（外延、CVD、PVD）
填空题 湿法腐蚀的特点是（）、（）、（）、（）。
填空题 湿法腐蚀Si所用溶液有（）、（）等，腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是（），腐蚀Si3N4常用的腐蚀剂是（）。
填空题 控制湿法腐蚀的主要参数有（）、（）、（）、（）等。
