填空题
湿法腐蚀Si所用溶液有（）、（）等，腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是（），腐蚀Si3N4常用的腐蚀剂是（）。
硝酸-氢氟酸-醋酸（或水）混合液；KOH溶液；HF溶液；磷酸
填空题 控制湿法腐蚀的主要参数有（）、（）、（）、（）等。
填空题 光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。
填空题 常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
