问答题
在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
抑制CMOS电路中闩锁效应（Latchup）的方法有：①SOI衬底技术；②大剂量离子注入形成深埋......
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问答题 比较投影掩模版和光学掩模版有何异同？说明采用什么技术形成投影掩模版上的图形？
问答题 为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢－氮混合气体退火？
问答题 采用提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备的硅片，哪种方法质量更高，为什么？那么目前8英寸以上的硅片，经常选择哪种方式制备，为什么？
