单项选择题
关于发射结势垒电容CTe和扩散电容CTe充放电对发射效率g的影响，下列说法中正确的是（）。
A.CTe对γ几乎无影响，CDe对γ有显著影响B.CTe对γ有显著影响，CDe对γ几乎无影响C.CTe和CDe对γ都有显著影响D.CTe和CDe对γ都几乎无影响
单项选择题 关于PN结势垒电容和扩散电容，下列说法中正确的是（）。
单项选择题 Si的pn结，室温附近温度每升高（）度，反偏漏电流增加一倍。
单项选择题 一维情况下以突变pn结冶金学界面处为x轴的零点，计算室温下平衡硅pn结中导带底比n区电中性区高0.1eV的位置与耗尽区在n区边界xn间的距离（p区：Na=1E18cm-3，n区：Nd=1E16cm-3，εr=11.9）：（）
