单项选择题
以下不是防止MOSFET被静电击穿的措施的是（）。
A.将电路存放在静电包装袋B.焊接时电烙铁应断电C.测试仪器必须良好接地D.用手直接将MOSFET放到测试台上
单项选择题 以下不是引起IGBT的发生擎住效应的原因是（）。
单项选择题 以下不是IGBT的管脚名称的是（）。
单项选择题 以下不是IGBT的工作区域的是（）。
