单项选择题
关于不同位置的氧化层电荷对阈值电压的影响，下列说法中正确的是（）。
A.靠近栅极界面的电荷比靠近 半导体界面的电荷影响更大B.无法确定C.靠近栅极界面的电荷与靠近 半导体界面的电荷的影响相同D.靠近 半导体界面的电荷比靠近栅极界面的电荷影响更大
单项选择题 对MIS电容有明显影响的是（）。
单项选择题 B-T实验主要是用来测量（）。
单项选择题 某理想MIS（n型半导体衬底）结构中，若在金属栅上加足够高正电压，则以下（）说法错误。
