判断题
在异质结双极型晶体管中,通常将发射结作成异质结,即用宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区。
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判断题 发射结正偏、集电极零偏时的IC与IB之比称为共发射极直流短路电流放大系数。
判断题 PN结的扩散电容来源于中性区非平衡载流子电荷随外加电压的变化。
判断题 一般说来,当势垒区较宽时,即杂质浓度或杂质浓度梯度较小时,容易发生齐纳击穿。反之,则容易发生雪崩击穿。