单项选择题
绝缘栅双极晶体管IGBT是一种（）结构的半导体器件。
A.四层三端B.三层三端C.五层三端D.三层二端
单项选择题 有关MOSFET的通态电阻，表述正确的是（）
单项选择题 功率晶体管GTR会发生（）现象，会立即导致器件的永久损坏，或工作特性明显衰变，因而对GTR危害极大。
单项选择题 晶闸管门极的控制作用，表述正确的是（）
