单项选择题
由PN结能带图可见,电子从N区到P区,需要克服一个高度为()的势垒。
A.-qVbiB.-VbiC.VbiD.qVbi
单项选择题 在开关二极管中常采用掺金的方法来提高开关管的响应速度。也可采用掺铂、电子辐照、中子辐照等方法,其目的是()。
单项选择题 对突变PN结,反向电压很大时,可以略去Vbi,这时势垒电容与()成反比。
单项选择题 正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值,这导致了该区域内载流子出现()过程占优。