black

微电子器件与IC设计基础

登录

单项选择题

由PN结能带图可见,电子从N区到P区,需要克服一个高度为()的势垒。

A.-qVbi
B.-Vbi
C.Vbi
D.qVbi

相关考题

单项选择题 在开关二极管中常采用掺金的方法来提高开关管的响应速度。也可采用掺铂、电子辐照、中子辐照等方法,其目的是()。

单项选择题 对突变PN结,反向电压很大时,可以略去Vbi,这时势垒电容与()成反比。

单项选择题 ​正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值,这导致了该区域内载流子出现()过程占优。

All Rights Reserved 版权所有©计算机考试题库(jsjtiku.com)

备案号:湘ICP备14005140号-4

经营许可证号:湘B2-20140064