判断题 蒸发镀膜中电阻加热源可分为直接加热源和间接加热源，其中直接加热源的加热体和待蒸发材料的载体为同一物体；而间接加热源是把待蒸发材料放入坩埚中进行间接加热。

判断题 离子注入工艺中入射离子能量低于临界能量时核阻止本领占主导，高于临界能量时电子阻止本领占主导。

判断题 有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。