单项选择题
一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
单项选择题 影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；
单项选择题 原子晶体中的原子与原子之间的键能随原子间距的而迅速（）
单项选择题 下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）
