问答题
PN结两边杂质浓度和宽度均相等，且两边宽度小于相应的少子扩散长度，试证明正向空穴电流和电子电流之比为Ip/In=Dp/Dn，如果两边宽度均大于相应的扩散长度，结果如何？
问答题 证明反向饱和电流可以改写为。
问答题 证明通过PN结的空穴电流与总电流之比为。
问答题 现有硅、锗PN结各一，其掺杂浓度均为ND=5×1015cm-3，NA=1017cm-3，求300K时的VD各为多少？说明为什么会有这种差别？
