问答题
用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读/写周期均为0.5μs,CPU在1μs内至少要访存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理?相邻两行之间的刷新间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?
因为要求CPU在1μs内至少要访存一次,所以不能使用集中刷新方式,分散和异步刷新方式都可以使用,但异步刷新方式比较......
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问答题 指出有无地址重叠现象。
问答题 各种存储芯片分别用多少片?
问答题 某半导体存储器容量16K×8,可选SRAM芯片的容量为4K×4;地址总线A15~A0(低),双向数据总线D7~D0(低) ,由R/W线控制读/写。请写出地址分配、片选逻辑。