单项选择题
衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在()。
A.漏区B.沟道区靠近漏区一侧C.沟道区靠近源区一侧D.源区
单项选择题 在MOS缩微中,下列参数()最易按缩微因子成比例改变。
单项选择题 在恒定电压缩微中,如果新器件几何尺寸缩小至原器件的1/k(k>1),则功耗密度为原器件的()倍。
单项选择题 ()会使亚阈值摆幅变小。