多项选择题
MOSFET发生速度饱和之后,以下哪些物理量将与沟道长度不相关?()
A.饱和漏源电压B.跨导C.饱和漏极电流D.最高工作频率
多项选择题 以下哪些措施可以提高MOSFET的跨导?()
多项选择题 在实测的晶体管输出特性曲线中,IC在放大区随VCE的增加而略有增加,这是由()造成的。
单项选择题 在平衡状态下,电子的电流密度()。