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微电子器件与IC设计基础

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填空题

当N型MOSFET的温度降低时,器件的阈值电压将()。

【参考答案】

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填空题 当MOSFET处于亚阈区时,衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡()浓度之间。

填空题 当MOSFET的沟道宽度很小时,阈值电压将随着沟道宽度的增加而()。

判断题 PN结正偏时,势垒高度降低。这就意味着n型侧中性区和p型侧中性区有更多的多子可以通过漂移运动越过势垒。

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