单项选择题
不会引起MOSFET衬底电流的效应是()。
A.漏结雪崩击穿B.漏源穿通C.GIDLD.沟道雪崩击穿
单项选择题 在理想MIS结构(n型半导体)开启电压VT的计算中,没有考虑强反型少子(即空穴)电荷的原因是()。
单项选择题 双极型晶体管中开关时间常数最大的通常是()。
单项选择题 关于复合电流,下列说法中正确的是()。