问答题
简述硅热氧化工艺中影响二氧化硅生长的因素。
①氧化温度；②氧化时间；③掺杂效应：重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速率快④硅片晶向：<1......
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问答题 简述SiO2在集成电路中的用途。
填空题 SiO2-Si界面的杂质分凝：（）过程中，（）在两种材料中重新分布，（）吸引受主杂质（B）、排斥施主杂质（P、As）。
问答题 简述掺氯氧化工艺。
