问答题
简述先进的0.18μmCMOS集成电路工艺技术工艺步骤。
①双阱工艺；②浅槽隔离工艺；③多晶硅栅结构工艺；④轻掺杂漏（LDD）工艺；
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问答题 简述3.0μm CMOS集成电路工艺技术工艺流程。
问答题 简述CMP技术的优点。
名词解释 化学机械平坦化（CMP）
